2 n2907双PNP晶体管
2 n2907销配置
销不。 |
销的名字 |
描述 |
1 |
发射器 |
电流消耗通过发射器 |
2 |
基地 |
控制晶体管的偏置 |
3 |
收集器 |
电流通过收集器 |
功能和技术规范
- 拥有一个高电流(最大的价值。600 mA)
- 低电压值(max。40 V)
- 有不同类型的包-,- 92,- 18
- 这些都是领导(Pb)免费的设备
- 发射极电压(VCEO) 40 v (max)。
- 集电极基极电压60 v (VCBO) (max)。
- 发射器基地(VEBO) 5 v电压(通常)
- 集电极电流的最大值是600
- 在环境温度约为400兆瓦功率损耗
- 在直流电流增益(hfe) 100年至300年(max)。
- 操作和储存温度是-65 + 150°C
注意:完整的技术信息中可以找到2 n2907数据表,这一页的底部。
2 n2907等效晶体管
2 n2907a NTE159M
简要描述
这是一个双极PNP晶体管在金属可以包,高与低电压电流600毫安的价值40 v。正向偏压的情况是当底部连接到地面或没有供应,作为一个信号提供给插脚反向偏置。晶体管有直流电流增益值的100年到300年显示了晶体管的放大能力。因为它是用于放大和开关。
当晶体管完全有偏见,它允许最多500毫安电流收集器,并提供一个电压(发射极)1.6 v (max),这是晶体管的饱和区域。在拆卸基极电流晶体管处于关闭状态在截止区。
2 n2907晶体管作为开关
当使用一个开关,可以在饱和区和截止区。在PNP型晶体管,默认情况下的状态,但不能说完美,直到插脚不接地。如果我们提供地面基地销,那么晶体管将在反向偏置和打开。如果供应提供插脚,它停止执行当前发射极和集电极之间处于关闭状态。保护晶体管,添加一个电阻串联。寻找该电阻的值,您可以使用公式:
RB= V是/我B
在那里,V的值是将5 v的晶体管。提供基极电流的最大值是200 ma。所以,从那可以找到串联电阻增加的价值。
2 n2907晶体管放大器
当作为放大器,可以活跃地区的操作。其基础连接到地面时,它将允许大电流(600毫安)通过发射极,这就是它放大了电流。有三种配置中使用一个共发射极放大电路,共同的基础,共同的收集器。使用这个晶体管在低功率放大是必要的。它还可以放大和电流的力量。放大系数通常决定的权力;计算电流增益,我们使用公式:
获得(hfe) =我C/我B
,集成电路的集电极电流和IB的基极电流电路。
应用程序
- 低功率的放大我们需要使用这个晶体管。
- 它也可以用于各种切换应用程序。
- 用于生产警报器或双Led灯闪光。
- 可用于达灵顿。
2维模型和尺寸
2 d维度将帮助您在将该组件的电路在穿孔板或印刷电路板。
