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2 MB密度的铁电RAM,具有串行外围界面,设计用于任务关键数据的数据记录

2 MB密度铁电RAM
2 MB密度铁电RAM

Infineon Technologies LLC宣布了新的辐射硬化(RAD-硬),串行界面铁电RAM(F-RAM)的可用性,非常适合数据记录关键任务数据,遥测存储,遥测存储以及命令和控制校准数据存储存储。该设备可提供无与伦比的可靠性和数据保留率,并且比用于空间应用的非挥发性EEPROM和串行或闪光设备更节能。它可用于为微控制器,FPGA和ASIC提供引导代码存储解决方案。亚博真人此外,这些RAD-HARD F-RAM也适用于航空和其他应用,需要军事标准温度等级从-55°C到125°C。

具有SPI的2 MB密度F-RAM是其Rad-Hard非易失性F-RAM家族中的第一个。这些设备几乎具有无限耐力,没有磨损的升级,在85°C下的10万亿读/写入周期和120年的数据保留,操作电压范围为2.0 V至3.6V。最低的工作电流为10 mA最大值,最大值,凭借2 V的极端编程电压。对行业标准串行外围界面(SPI)协议的支持可提高易用性,并支持较小的足迹和较低的销钉数量。其他功能包括带有16英寸陶瓷SOP包装的小占地面积。

特征

  • 2-Mbit Ferroelectric随机访问存储器(F-RAM)逻辑组织为256K×8

  • 快速串行外围界面(SPI)

  • 复杂的写保护方案

  • 设备编号

  • 低功耗(前/邮政150克拉德TID辐射)

  • 低压操作:VDD = 2.0 V至3.6 V

  • 军事温度:–55°C至+125°C

  • 16针陶瓷SOP包装

应用程序

  • 航空应用
  • 空间应用

组件数据表

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