新的无效包装的碳化硅MOSFET，其输出电容低，PCB区域节省30％
Onsemi宣布了新的无效（TOLL）包装的硅碳化物（SIC）MOSFET，该MOSFET满足了适用于高性能开关设备的快速增长的需求，该设备适用于具有高度功率密度的设计。
MOSFET
新的MDMESH MOSFETS系列具有增加功率密度和改善5G电站和电信数据中心的系统可靠性
Stmicroelectronics引入了新的MDMESH M9和
新的600V超级枢纽机MOSFET，电阻较低，设计可显着降低家用电器和工业设备的功耗
Rohm半导体已在其600V超级交界处的Prestomos系列中添加了七个新产品，它们在阻力和最快的反向恢复方面脱颖
3.3 KV SIC MOSFET和高电流评级的SIC SBD旨在开发用于电气运输和工业应用的有效解决方案
Microchip Technology Inc.已宣布扩大其SIC投资组合，并发布最低的抗性[RDS（ON）]
650V凉爽的MOSFET，具有增加的雪崩能力目标高功率应用，并提供改进的开关行为
Infineon Technologies AG推出了一个新的COOLSIC 650 V硅碳化物（SIC）MOSFET，该家族建于Infineon的ST上
小型DFN8X8包装中的αMOS5超级连接MOSFET提供均衡的足迹和热耗散
Alpha和Omega Semiconductor Limited宣布发布600V 110MOHM和DFN8X8软件包中的140MOHMαMOS5超级接线MOSFET，旨在满足快速充电器，适配器，PC Power，PC Power，Industrial Power，Industrial Power，Industrial Power，PC Power，Industrial Power，旨在满足高效率和高密度需求
新的Optimos 5 Power MOSFET解决方案PQFN 2X2包装提供最小的外形，较低的状态阻力和切换性能标准
Infineon Technologies AG推出了其新的PQFN 2 x 2 mm2 Optimos 5 25V和30V产品
PowerPak 8x8l包装中的紧凑型N通道MOSFET功能债券无线结构和鸥翼线索可提高板级可靠性亚慱体育官网APP在线下载
威世Intertechnology has introduced the new 60V SiJH600E and 80V SiJH800E n-channel TrenchFET MOSFETs that combi
高功率SIC MOSFET双模块，带有内置的NTC热敏电阻，专为可再生能源发电系统设计
东芝电子设备和存储公司已经引入了两个新的SIC MOSFET双模块，它们与广泛使用的硅（SI）IGBT模块具有越来越多的兼容性，其低能源损失特性满足了对更高效率和尺寸降低的需求
48V智能，双通道高方向MOSFET门驱动器具有SPI界面设计用于汽车应用
Infineon Technologies AG推出了Eicedriver 2ED4820-EM，它是具有SPI接口的智能门驱动程序，是Infineon的理想伴侣
具有高性能2.4 GHz RF，低电流消耗，AI/ML硬件加速器安全库
提供1.8 V至5.5 V的广泛供应范围以及许多集成系统功能
High-performance radio front end operating from 110 MHz to 727 MHz and 742 MHz to 970 MHz
Award winning IsoMOV™ protection, combining both MOV and GDT technologies into a single component.
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5G，智能家庭，工业，汽车，医疗保健和农业物联网应用的解决方案
为关键应用开发了X8G电介质MLCC
