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场效应晶体管

第4代SiC fet
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新一代4sic fet提供了电路稳健性和设计灵活性的新水平

UnitedSiC宣布了新的6mohm, 750V Gen 4 SiC fet,提供了强大的短路,RDS(on)值低于最近的SiC MOSFET竞争对手的一半。
570V光隔离负载偏置门驱动器
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光隔离负载偏置栅驱动器提高外部MOSFET启动速度和消除外部电源的需要

Littelfuse公司宣布了一种高压光隔离MOSFET栅极,它不需要外部电源,可以提供数十微秒量级的快速负载启动速度。
IRF530 MOSFET
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IRF530 n沟道MOSFET

IRF530是一款n沟道MOSFET,专为高速和大功率应用而设计。它能在100v电压下维持14a的连续电流。在脉冲模式下,它可以驱动高达56 a的负载。
IRF9540 MOSFET
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IRF9540 p沟道MOSFET

IRF9540是一种p沟道MOSFET,可以驱动最大负载电流高达-19A和电压高达-100V。在脉冲模式下,它可以承受高达-72A的负载。IRF9540具有低通态电阻和快速切换的特点。
IRF510 MOSFET
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IRF510 n沟道功率MOSFET

IRF510是第三代功率MOSFET,具有快速开关和低通态电阻的最佳组合。这种组件的成本较低。
IRF630 MOSFET
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IRF630 n沟道功率MOSFET

IRF630是第三代功率MOSFET,专门为需要高速开关的应用而设计。该元件具有低导通电阻、高性价比和坚固耐用的设计。
TMC6140-LA三相MOSFET栅极驱动器
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完全集成的三相MOSFET栅极驱动器,用于工业驱动器和电动工具

美信集成产品有限公司
低峰型TPHR7404PU功率MOSFET
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新型TPHR7404PU功率MOSFET具有低尖波能力,可降低开关电源应用中的电磁干扰

东芝推出了一款40V n沟道MOSFET“TPHR7404PU”,具有低尖脉冲能力和最新一代U-MOSI
热交换ASFETs
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新的热插拔asfet增强SOA性能,最大限度地减少降额,提高当前共享

Nexperia发布了新的PSMN4R2-80YSE (80V, 4.2mΩ)和PSMN4R8-100YSE (100V, 4.8mΩ)
Nexperia的新型80V/100V mosfet
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新的80V/100V mosfet与最新的硅技术,用于电源,电信和工业设计

Nexperia已经宣布了新的Qrr数字Merit 80 V / 100 V mosfet与最新NextPower硅技术,这将扩大容量