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Nexperia的碳化硅肖特基二极管
Nexperia的碳化硅肖特基二极管

新型汽车级碳化硅肖特基二极管,用于UPS和光伏逆变器,具有高功率密度和降低EMI

Nexperia通过引入一个新的高性能系列,扩展了其宽带隙半导体产品
PESD5V0R1BxSF双向ESD保护二极管
PESD5V0R1BxSF双向ESD保护二极管

用于USB4标准接口和通信系统的新型低钳位双向ESD保护装置,采用TrEOS技术

Nexperia宣布了两个全新的极低箝位和电容双向静电放电(ESD)保护二极管,封装在超低电感DSN0603-2(SOD962-2)无铅封装中,具有标准的0.6 mm x 0.3 mm封装外形和0.3 mm外形。
热插拔ASFET
热插拔ASFET

具有增强SOA性能的新型热插拔ASFET可最大限度地降低降额并改善电流共享

Nexperia已经发布了新的PSMN4R2-80YSE(80V,4.2mΩ) 和PSMN4R8-100YSE(100V,4.8mΩ)
MJD系列功率双极晶体管
MJD系列功率双极晶体管

MJD系列新型功率双极晶体管,开关速度快,可靠性高

Nexperia已扩展其具有热和电优势的晶体管产品组合,从
Nexperia的低调DHXQFN软件包
Nexperia的低调DHXQFN软件包

用于标准逻辑器件的占地面积小的新型DHXQFN封装

Nexperia宣布了标准逻辑器件的最小和最低外形14、16、20和24针封装。
40V高可靠性汽车级和工业级MOSFET
40V高可靠性汽车级和工业级MOSFET

40V高可靠性汽车级和工业级MOSFET,具有高性能和改进的功率密度

Nexperia推出了新的0.55米Ω 用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用的高可靠性LFPAK88封装中的RDS(on)40 V功率MOSFET。
Nexperia的PMEG060T080CLPE沟道肖特基整流器
Nexperia的PMEG060T080CLPE沟道肖特基整流器

用于快速开关应用的高效率100V 20A沟道肖特基整流器

Nexperia扩展了沟槽肖特基整流器的产品组合,其器件额定电压高达100V和20A,以提供优异的性能和领先的热性能。
GAN041-650WSB GaN场效应晶体管
GAN041-650WSB GaN场效应晶体管

650 V GaN场效应晶体管,用于在80+钛级工业电源中降低形状因数并最小化系统成本

Nexperia推出了第二代650V功率GaN FET器件系列,RDS(on)性能降至35MΩ (典型)。
PESD18VF1BL ESD保护二极管
PESD18VF1BL ESD保护二极管

用于高速接口的经汽车认证的高性能4通道ESD保护二极管

Nexperia推出了PESD4USBx系列,包括12个高性能4通道ESD保护装置。
LFPAK56D半桥汽车MOSFET
LFPAK56D半桥汽车MOSFET

半桥LFPAK56D MOSFET为空间受限的汽车应用提供60%更低的寄生电感和更好的热性能

Nexperia已宣布推出一系列半桥汽车MOSFET(BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H),其寄生电感降低60%,热性能得到改善