具有增强的SOA性能的新热插拔ASFET最大限度地降低了降级和改进电流共享

Nexperia已宣布新的PSMN4R2-80YSE（80V，4.2MΩ）和PSMN4R8-100YSE（100V，4.8MΩ）热插拔ASFETS具有增强的SOA性能，针对5G电信系统和48 V服务器环境和工业设备的软启动应用，需要电子保险丝和电池保护。新的热插拔ASFET使用最新的硅技术和铜夹封装施工的组合，可显着加强安全操作区域，并最大限度地减少PCB区域。此外，这些产品仅为5毫米x 6 mm x 1.1 mm，分别为PCB占地面积和装置高度提供80％和75％。

这些坚固的ASFETS消除了Spirito效果，并在50 V时增加了166％的SOA。这些热插拔ASFET包装在Power-SO8兼容的LFPAK56E中，并且包装的独特内部铜夹结构，同时显着降低足迹大小。这些器件还具有175°C的最大结温，满足IPC9592电信和工业应用的规定。

特征

• 完全优化的安全操作区域（SOA），用于卓越的线性模式操作

• 低RDSON用于低I2R导通损耗

• LFPAK56E包装用于30 mm2占地面积的最高性能和可靠性的应用程序

应用程序

• 热插拔

• 加载开关

• 慢启动

• 电子保险丝

• 基于48 V背板/电源轨的电信系统