AOM033V120X2Q:汽车级1200V/33mΩ αSiC mosfet在电动汽车中的优越性能和效率yabo562. vip

Alpha和Omega半导体有限公司合作推出AOM033V120X2Q,AEC-Q101合格1200 v / 33米Ω碳化硅(SiC) αSiC mosfet在优化的TO-247-4L封装中。这款新设备是专门为汽车应用而设计的，它采用了800V的电气系统，以减小系统的尺寸和重量，同时增加续航里程，并显著加快充电速度。

新的汽车级αSiC mosfet提供优越的开关性能、可靠性和效率在电动汽车(EV)车载充电器、电机驱动逆变器和板外充电站中，这些1200V SiC mosfet为汽车合格的TO-247-4L提供了业界领先的最低导通电阻标准门驱动器15V．

新的αSiC mosfet的附加传感导线减少了电感效应，使器件在a更高的开关频率与标准封装相比，开关损耗减少75%。15V栅极驱动器电压允许栅极驱动器的最大兼容性，便于在各种系统设计中采用。αSiC mosfet在额定175°C下具有非常低的导通电阻增加，以最小化功耗并进一步提高效率。

AOM033V120X2Q的特点

• 专有的αSiC MOSFET技术
• 低损耗，低RDS, ON
• 快速开关，具有低RG和低电容
• 优化栅极驱动电压(VGS =15V)
• 低反向恢复二极管(Qrr)
• 最大操作结温度为175°C
• AEC-Q101汽车合格

注意:更多技术资料可参阅AOM033V120X2Q数据表链接在本页底部和产品页AOM033V120X2QαSiC场效电晶体．