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SIC MOSFET双重模块
SIC MOSFET双重模块

高功率SIC MOSFET双模块,带有内置的NTC热敏电阻,专为可再生能源发电系统设计

东芝电子设备和存储公司已经引入了两个新的SIC MOSFET双模块,它们与广泛使用的硅(SI)IGBT模块具有越来越多的兼容性,其低能源损失特性满足了对更高效率和尺寸降低的需求
最新一代硅 - 碳化物电源设备
最新一代硅 - 碳化物电源设备

最新一代硅 - 碳化物电源设备,用于快速充电EV基础架构和工业应用

Stmicroelectronics推出了其第三代STPower Silicon-Carbide(SIC)MOSFET,以利用新的第三代
电隔离的4A SIC门驱动器
电隔离的4A SIC门驱动器

电力隔离的4A SIC栅极驱动器增强了能量意识的动力系统的鲁棒性和可靠性

Stmicroelectronics引入了一个单通道栅极驱动程序STGAP2SICSN,该驱动器stgap2sicsn带有节省空间的窄体SO-8软件包,并被选择
AgilesWitch 2ASC-12A2HP数字驱动器
AgilesWitch 2ASC-12A2HP数字驱动器

Agileswitch数字闸门驱动器具有增强的硅碳化物MOSFET的增强开关技术

Microchip Technology Inc.已宣布了一个新的1200V生产的数字驱动器,以补充其广泛的碳化硅MOSFET离散和模块产品组合。
Gen 4 SIC FET
Gen 4 SIC FET

新的Gen 4 SIC FET提供了鲁棒性并启用新级别的设计灵活性

曼联宣布了新的6mohm,750V Gen 4 SIC FET,可提供强大的短路,并具有小于最接近SIC MOSFET竞争对手的一半的RD(ON)值。
RGWXX65C混合IGBTS系列
RGWXX65C混合IGBTS系列

RGWXX65C混合IGBT系列与内置的SIC二极管用于汽车充电器和UPS

ROHM半导体宣布了RGWXX65C系列(RGW60TS65CHR,
BM2SC12XFP2-LBZ功率IC
BM2SC12XFP2-LBZ功率IC

紧凑型BM2SC12XFP2-LBZ功率IC具有内置的1700V SIC MOSFET,用于减少组件计数和市场时间

Rohm打算在单个表面安装到263 7L软件包中提高效率和增加的输出功率,宣布了具有1700V SIC MOSFET的BM2SC12XFP2-LBZ功率IC。
1200V全硅碳化物(SIC)MOSFET 2包模块
1200V全硅碳化物(SIC)MOSFET 2包模块

半桥2件1200V SIC MOSFET,可靠可靠且可靠的电动电动机电台操作

在半导体上,已经引入了1200V全硅(SIC)MOSFET 2件装模块对(NXH010P120MNF1和NXH006P120MNF2),具有出色的切换性能,并增强了用于电动汽车市场(EV)市场可靠性和稳健性的热量。
3相SIC MOSFET智能电源模块(IPM)
3相SIC MOSFET智能电源模块(IPM)

液体冷却3相SIC MOSFET智能功率模块(IPM),用于高效和电动机的功率密度和航空航天应用

Cissoid已将新的液冷模块添加到其增长的3相硅(SIC)MOSFET智能功率模块(IPM)产品的平台上,用于针对较低开关损耗或更高功率量身定制的E-Mobility。
STGAP2SICS液压隔离的4A门驱动器
STGAP2SICS液压隔离的4A门驱动器

Stgapsics:带有双输入引脚的电孤立的闸门驱动器,可安全控制SIC MOSFET

Stmicroelectronics引入了Stgapsics,4A循环隔离的栅极驱动器,以安全控制碳化硅(SIC)MOSFET,并从高压导轨至1200V中运行。