2N3053通用NPN晶体管
这2N3053是硅NPN晶体管TO-39金属可以包装。这种类型的情况主要是为放大器和切换应用设计的。该设备具有高击穿电压，低泄漏电流，低容量和β在极宽的电流范围内有用。
2N3053晶体管引脚配置
引脚号 |
引脚名称 |
描述 |
1 |
发射极 |
从发射极发射到第一个PN连接的电子 |
2 |
根据 |
控制晶体管的偏置 |
3 |
集电极 |
收集器收集的发射器发出的电子 |
2N3053晶体管的基本概述和功能
- 双极NPN晶体管
- 直流电流增益（HFE）最大为50
- 连续收集器电流（IC）为700mA
- 发射极基电压（VBE）为5V
- 基本电流（IB）最大15mA
- 最大收集器基压| VCB |：80 V
- 收集器耗散：5 W
- 过渡频率：> 100 MHz
- 操作和存储连接温度范围-65至+200°C
- 收集器电容<15pf
- 输入电容<80pf
- 在39金属罐中可用
笔记：完整的技术细节可以在2N3053数据表在此页面末尾给出。
2N3053等效晶体管
BC108，，，，SL100，，，，2N2219，，，，2N5210，2N5321，BC140，BC141，BC440，BC441
晶体管的基本工作
2N3053晶体管是通用N-P-N晶体管，连接晶体管是两层N型材料或P型材料之间的夹层结构，具体取决于构造晶体管，分为两类NPN晶体管和PNP晶体管，如下所示。晶体管由硅或锗组成，具体取决于申请，申请人必须选择合适的硅。
2N3053晶体管的一般描述
2N3053是一个NPN晶体管因此，当不向基地施加电源时，收集器和发射器将被打开（反向偏见）。直到将正压施加到晶体管的底部，当有正电压时，少量电流开始从底部到发射极，晶体管在状态下达到其状态。该晶体管的最大增益为50，它决定了设备的扩增因子。该设备的最大基本电流限制为15mA，超过此设备，很有可能会损坏该设备。该设备的收集器发射器电流超过700mA，可能会损坏该设备。这是一个5W额定的晶体管，可用于许多不同的应用。
当该晶体管处于偏见状态时，它可以允许在CE（集电极发射器）交界处具有5W功率的700mA的最大电流，该状态称为该状态饱和状态，并驱动消耗超过700mA的负载可能会损坏设备。正如您可能已经知道晶体管是一个当前受控设备因此，当卸下基本电流时，晶体管将迁移到其关闭状态，在此阶段，晶体管正在工作截止区域因此，没有电流流过基本发射极连接。
如何使用2N3053晶体管
晶体管是当前受控的设备，这意味着可以通过提供所需的基本电流来打开或关闭它们，对于2N3053晶体管，它是15mA。2N3053是一个NPN晶体管，这意味着当没有将电流应用于其底座时，它将保持打开状态，但是当我们施加基本电压时，少量的基本电流流过晶体管，并且晶体管打开。下面的模拟电路显示了当将基本电流应用于该电流时，该晶体管的行为以及当未向基座提供电流时的行为。
当我们通过向晶体管的底部提供所需的电流来打开晶体管时，除非晶体管底部的电压达到零，否则它将保留。晶体管的底部无法浮动，否则可能会出现错误的触发晶体管，这可能会导致电路中的问题。为了解决问题，我们需要添加下拉电阻。例如，使用10K电阻来拉下晶体管的底部。
申请
BC108晶体管是一种非常通用的设备，其高频范围和较大的带宽使其适合许多不同的应用。
- LED调光器或闪光灯
- 切换应用
- 功率放大器的前置放大器
- 高频切换
- RF Freque的调节器和解调器
2D模型和尺寸
如果您正在设计使用此组件的PCB或Perf板，则数据表中的以下图片将对了解其包装类型和尺寸非常有用。
