低RDS的新型UF3C/UF3SC系列碳化物FET系列为7/9MΩ，以提高效率，并降低损失
联合国SIC介绍了D一系列UF3C/SC SIC FET改进以提供更高的开关速度，更高的效率和较低的损失低排放到源电阻7/9MΩ。这些新的FET为大多数TO-247-3L IGBT，SI-MOSFET和SIC-MOSFET零件提供了倒入替换解决方案。这有助于设计人员在不更改现有门驱动器电路的情况下升级系统以提高性能和效率。根据QRR的50％的降低，可以减少转损。对于高电流应用，需要一个小的低成本RC Snubber，这也简化了EMI设计。
UF3C/SC SIC FET的功能
- 650V和1200V
- 低RD（ON）从7mohm到150mohm
- 出色的身体二极管性能（VF <2V）
- 带有任何SI和/或SIC GATE驱动电压驱动
- 集成的ESD和门保护
- 完整的一套行业标准套件 - TO-220-3L，D2PAK-3L，DFN8X8，TO-247-3L＆-4L（Kelvin）
笔记：完整的技术细节可以在UF3C065030B3数据表链接在此页面的底部。
UF3C/SC SIC FET可在公司网站上购买，有关更多信息UF3C/SC SIC FET访问联合SIC的官方网站。
组件数据表
