辐射硬化M6 MRH25N12U3 MOSFET承受太阳和电磁事件在航空航天应用

微芯片技术公司推出了抗辐射M6 MRH25N12U3250V, 0.21欧姆Rds(开)在商业航空航天和国防空间应用中对抗极端粒子相互作用和太阳和电磁事件的操作，MOSFET。新的MOSFET可以承受恶劣的太空环境，延长电源电路的可靠性，并满足MIL-PRF19500/746的要求，增强了性能。

M6 MRH25N12U3可承受总电离剂量(TID)高达100克拉和300克拉以及线性能量转移(LET)的单事件效应(SEE)87伏/毫克/平方厘米．这种新设备提供了功率转换电路的主要开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电机驱动和控制以及通用开关。M6 MRH25N12U3 mosfet可以用于设计未来的卫星系统，也可以替代现有的系统。

M6 MRH25N12U3辐射硬化MOSFET的特点

• 筛选与MIL-PRF-19500和JANSR2N7593U3规格
• 低RDS(上)
• 快速切换
• 单一event-hardened
• 门费用低
• 简单的驱动
• 易于并联
• 密封的
• 表面装配设计
• 陶瓷外壳
• ESD等级:3B级MIL-STD-750, TM 1020

注意:更多技术资料可参阅MRH25N12U3 MOSFET抗辐照产品页面。