高性能650V和1200V D2PAK-7L紧凑型SIC FET，用于可靠的开关操作

未引入六个新的六个新的FET产品组合扩展了其FET产品组合650V和1200V.可用的选项30,40,80和150mΩ版本。居住在行业标准中D2PAK-7L表面贴装包装这些新设备适用于服务器和电信电源，工业电池充电器和电源，EV车载充电器和DC-DC转换器等应用。

新款SIC FET支持高压开关速度以及开尔文源连接，提高栅极驱动返回性能;他们还提供行业领先的热力功能。随着传统PCB和复杂绝缘金属基板（IMS）布置的能力，这些新装置可以分别显示出优异的爬电和间隙图6.7mm和6.1mm。

用于新的650V D2PAK-7L SIC FET的定价（1000-UP，FOB USA）为UF3C065080B7S为3.27美元至7.54美元，适用于UF3SC065030B7。对于1200V D2PAK-7L设备，价格为UF3C120150B7的价格为3.10美元至UF3SC120040B7的10.91美元。

UF3SC120040B7S SIC FET的功能

• 电阻RDS（上）：35MΩ（典型值）
• 工作温度：175°C（最大）
• 优异的反向恢复：QRR = 358NC
• 低体二极管VFSD：1.5V
• 低门电荷：QG = 43nc
• 阈值电压VG（TH）：5V（典型值）允许0到15V驱动器

笔记：可以找到更多技术信息UF3SC120040B7S数据表链接在本页底部以及产品页面高性能SIC FET。