GS-065-00-5-B-A：紧凑型汽车级650V GaN E模式晶体管，用于要求高功率应用
GaN系统扩大了其家庭汽车级650V晶体管引入GS-065-00-5-B-A，A60A底部冷却晶体管。这种新晶体管将GaN的高频特性与GaN Systems的专有岛技术布局和GaN PX包装相结合高功率，低损耗性能在当今的电力电子设备中。
GS-065-00-5-B-A专门用于苛刻大功率电动汽车应用程序如车载充电器，牵引反相器和DC-DC转换器。底侧冷却的晶体管可以为要求苛刻的高功率应用提供非常低的结壳热阻。通过利用GaN电源晶体管，电力工程师可以减少系统成本，使其产品50％更小，更轻。
GS-065-00-5-B-A晶体管的功能
- 650 V增强模式功率晶体管
- 底部冷却，低电感GANPX包装
- RDS（ON）=25mΩ
- IDS（max）= 60 a
- 超低FOM
- 简单的栅极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态耐受栅极驱动器（-20 / +10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）小11 x 9 mm2PCB足迹
笔记：可以找到更多技术信息GS-065-00-5-B-A数据表链接在本页底部以及产品页面GS-065-00-5-B-A电子模式GaN晶体管。
组件数据表
