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FF900R12ME7B11 -双IGBT7模块,额定功率900A,用于工业驱动应用

FF900R12ME7B11 -双IGBT7模块,额定功率900A,用于工业驱动应用
FF900R12ME7B11 -双IGBT7模块,额定功率900A,用于工业驱动应用

英飞凌科技公司推出了新的FF900R12ME7_B11发射极控制模块th用于产生二极管的应用变速驱动.的EconoDUAL TRENCHSTOP IGBT7模块的评级为1200 V, 900超前额定电流,和与之前的技术相比,在相同的帧尺寸下,使逆变器输出电流提高30%。

与以前的IGBT4模块相比,它具有更低的静态损耗,并且在相同的芯片区域内提供更少的通态电压,这在通常在中等开关频率下操作的应用中带来了显著的损耗降低。该模块被设计用于工业驱动应用,农业车辆(CAV),伺服驱动器,太阳能和UPS逆变器。

FF900R12ME7_B11的特点

  • 最低通态电压VCE(坐)和Vf
  • VCEsat具有正的温度系数
  • Tvj op过载时= 175C
  • 增强dv/dt的可控性
  • 优化dv/dt = 5kv/us的开关损耗
  • 8我们短路的鲁棒性
  • 改进现有柔软
  • 高功率密度
  • 孤立的底座
  • 紧凑和坚固的设计与模压端子

注意:有关该产品的更多技术细节,请参阅FF900R12ME7_B11数据表在本页底部提供。

该公司声称,IGBT的振荡行为和可控性已得到改善,电源模块的最大允许过载结温度为175°C。发射器控制的正向压降7th第一代二极管(EC7)现在比EC4二极管的正向压降低100mV,在二极管关断期间振荡趋势减少。领导的类型FF900R12ME7_B11现在可以订购了。然而,带有预应用TIM的FF900R12ME7P_B11将于2020年1月上市。更多信息请访问www.infineon.com/igbt7

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