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罗门哈斯

厚膜并联电阻
厚膜并联电阻

LTR100L系列:新厚膜并联电阻4 w额定功率为工业和消费者应用程序而设计的

罗姆引入了新的厚膜分流电阻LTR100L系列
RLD90QZW3红外光学激光二极管输出高
RLD90QZW3红外光学激光二极管输出高

高75 w红外光学激光二极管输出时间距离测量和空间识别

罗姆公布了75 w红外光学激光二极管输出高,RLD90QZW3用于激光雷达用于距离测量和空间recognitio
并行转换器ICs和PMIC
并行转换器ICs和PMIC

新的并行转换器ICs和PMIC减少电磁干扰和功率消耗在汽车卫星相机模块

罗姆已经开发了新的并行转换器ICs (BU18xMxx-C系列)和PMIC (BD86852MUF-C)车辆卫星相机模块
BD8758xY CMOS运算放大器系列
BD8758xY CMOS运算放大器系列

新系列CMOS运算放大器可以提高可靠性和减少异常检测系统的设计资源

罗姆已经介绍了轨到轨输入/输出的新BD8758xY系列高速CMOS运算放大器特性提高EMI免疫力和低输入偏置电流。
RGWxx65C混合igbt系列
RGWxx65C混合igbt系列

RGWxx65C混合igbt系列汽车充电器内置碳化硅二极管和UPS

罗姆半导体宣布RGWxx65C系列(RGW60TS65CHR
BM2SC12xFP2-LBZ功率集成电路
BM2SC12xFP2-LBZ功率集成电路

紧凑BM2SC12xFP2-LBZ电源集成电路内置1700 v SiC MOSFET减少组件数量和投放市场的时间

打算实现更高效率和增加输出功率在一个单一的表面贴装TO263 7 l包,罗姆宣布BM2SC12xFP2-LBZ电源集成电路与集成1700 v SiC MOSFET。
150 v GaN HEMT设备
150 v GaN HEMT设备

150 v GaN HEMT 8 v栅极击穿电压的设备电源电路在工业和通讯设备

罗姆引入了最高(8 v)门击穿电压(额定gate-source电压)技术对150 v GaN HEMT器件优化电源电路在工业和通讯设备。
GMR320并联电阻
GMR320并联电阻

小型大功率低电阻芯片GMR320并联电阻的精确的电流检测在高功率应用中

10 w电源额定GMR320系列并联电阻是高功率应用程序现在可以从罗姆在汽车、工业设备、家用电器。
BM64374S-VA 600 v IGBT智能功率模块
BM64374S-VA 600 v IGBT智能功率模块

BM6437x 600 v系列IGBT智能功率模块降低功耗和设计荷载在紧凑的工业设备

罗姆已经介绍了BM6437x系列,包括四个新600 v IGBT智能功率模块(ipm)能够提供一流的低噪声特性和低损耗的理想功率逆变器的转换。
BD34301EKV 32位D / A转换器集成电路
BD34301EKV 32位D / A转换器集成电路

BD34301EKV - 32位D / A转换器IC高保真音响的音质表现

罗姆已经引入了BD34301EKV, 32位D / a转换器IC高保真音频设备能力的高分辨率播放的音频源。