新最新80 v / 100 v场效电晶体硅技术的供电、电信和工业设计

Nexperia宣布新Qrr图的优点80 V / 100 V mosfet与最新NextPower硅技术,将扩大直接供应的能力。新psmn3r9 - 100 ysf (100 V)和psmn3r5 - 80 ysf (80 V)设备适合供电、电信和工业设计,尤其适合USB-PD c型充电器和适配器和48 V直流-直流适配器。这些设备功能低身体二极管与Qrr损失降到50 nC -导致较低的反向恢复电流(Irr),低电压峰值(Vpeak)和减少振铃,允许进一步优化空载。

NextPower 80 V和100 V硅场效应管显著改善RDS(上)从上一代7 mΩ100到4.3 V部分mΩ为新设备,提高效率。NextPower技术也提供一流低Qrr 100 V的44数控部分降低飙升和EMI排放。总的来说,Qrr图100 V的优点是比竞争设备平均低61%。

迈克·贝克尔Nexperia产品经理说,“随着全球半导体短缺,投资由Nexperia增加能力在其全球制造网站,包括曼彻斯特和菲律宾这些场效应管生产,买家将会非常受欢迎的消息。设计师也会兴奋的新场效电晶体的性能。他们非常适合许多切换应用程序,和真正的第二个来源选择其他供应商的产品。”

场效应管的特性和好处

• NextPower 100 V使用深阱和charge-balanced结构(resurf)
• 在切换应用程序效率高和低飙升
• 资格175˚C
• LFPAK56低压力引线框架和wave-solder兼容
• 低RDS(上)
• 改进的路上(合计)品质因数(FOM)
• 一流低Qrr给高切换应用程序的效率
• 雪崩评级,100%雪崩测试
• 优化开关,低飙升和效率高

应用psmn3r9 - 100 ysf (100 V)和psmn3r5 - 80 ysf (80 V)设备

• 同步整流器在回程和谐振拓扑
• AC / DC, DC / DC转换器
• LED照明
• 全桥和半桥拓扑
• 电机控制
• UPS和太阳能逆变器

可用性

新的80 V和100 V mosfet在高性能LFPAK56E Nexperia热、电铜夹技术方案。