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用于星载关键应用中功率转换解决方案的高开关频率Rad-Hard GaN晶体管

EPC7014 GaN场效应晶体管
EPC7014高开关频率Rad-Hard GaN晶体管

高效电源转换(EPC)增加了EPC7014, a60v, 340 mΩ, 4脉冲,radhard eGaN FET辐射硬化氮化镓晶体管和集成电路的新家族。新型氮化镓基器件具有击穿强度、更快的开关速度、更高的导热系数和更低的导通电阻。

更低的电阻和栅极电荷提供更快的开关频率,这为关键的星载任务提供更高的功率密度、更高的效率和更紧凑、更轻的电路。的小0.81毫米2足迹eGaN场效应晶体管的总剂量为r操作大于1 MradSEE对LET免疫85 MeV/(mg/cm)2).

该设备适用于卫星和任务设备的电源供应,机器人和自主导航和交会对接的光探测和测距(激光雷达),机器人和仪器的电机驱动,以及卫星定位和定位的离子推进器。以及低质量机器人飞行器的星际推进。

EPC7014 GaN FET特性

  • 超高效率
  • 超低闸极电荷
  • 小的足迹
  • 轻量级
  • 总剂量:额定> 1 Mrad
  • 单个事件:SEE免疫LET 85 MeV/(mg/cm2), VDS高达额定击穿的100%

注意:更多技术资料可参阅EPC7014数据表链接在本页底部和EPC7014 GaN场效应晶体管产品页面。

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