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600V QH12TZ600Q低反向充电硅二极管,提高了汽车应用的效率

QH12TZ600Q Automotive-Qualified Qspeed Silicon Diode
QH12TZ600Q Automotive-Qualified Qspeed Silicon Diode

Power Integrated最新发布600V 12A Qspeed二极管已设计提供低反向回收费用(Qrr)的公正14 nC在25°C用于硅二极管。QH12TZ600Q二极管可作为汽车应用中SiC组件的替代产品提高效率用于板载充电器的PFC阶段,并显著降低PFC mosfet的热。

AEC-Q101合格设备使用融合PiN和肖特基二极管技术达到高绩效。除了提高效率外,该器件平滑的反向恢复电流过渡特性还降低了电磁干扰和峰值反向电压应力。这就消除了在板载充电器中作为输出整流器使用时对缓冲器的需要。

QH12TZ600Q采用2.5 kV隔离to -220封装,可直接安装在金属散热器上,提供高散热性能。新的600 V 12a Qspeed二极管的价格为1.17美元,10,000个。

QH12TZ600Q二极管特点

  • 低的问rr、低我RRM、低tRR
  • 高dIF/dt能力(1000 A /µs)
  • 疲弱的经济复苏
  • AEC-Q101合格
  • 装配和测试通过IATF 16949认证

注意:更多的技术信息可在QH12TZ600Q数据表链接在本页的底部和Qspeed汽车合格二极管产品页面。

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