IRFP460 n沟道功率MOSFET
IRFP460是Vishay的n沟道功率MOSFET，旨在提供低导通电阻和快速开关的最佳组合。这是一种具有500V漏源极击穿的高压设备，采用TO-247封装。
IRFP460 MOSFET Pinout配置
密码 |
销的名字 |
销的描述 |
1 |
门 |
栅极端子控制漏极和源极之间的导通 |
2 |
排水 |
电流“输入”，电流通过这个终端流入MOSFET |
3. |
源 |
电流“输出”，通常连接到地，电流从这个端子流出，栅极电压施加在这个端子上 |
特性和规格
n沟道MOSFET功率
漏源极击穿电压:500V
连续漏极电流:20A
输入电容:4.2 nf
门限值:2V ~ 4V
可在TO-247包
注意:完整的技术细节可在IRFP460数据表在本页最后给出。
IRFP460等效场效电晶体
IRFP460 MOSFET概述
的IRFP460是一个n沟道场效应晶体管由威世。在10V栅极电压下具有500V的高击穿电压和0.27Ω的低导通电阻。考虑到高击穿电压，该MOSFET可用于开关转换器与市电电压输入，高压放大器，和电机驱动器。
如何使用IRFP460 MOSFET
MOSFET是一个电压控制装置，这意味着一个电压必须出现在栅极(相对于源)为它打开。在这种情况下，IRFP460的门阈值电压介于2V和4V之间，在这个电压下，它刚刚开始导电。为了达到0.27Ω的指定通电电阻，栅极电压必须至少为10V。栅极电压的最大限制是±20V，超过这个限制栅极就会损坏。
功率mosfet如IRFP460通常用于低侧开关配置。在下面链接的交互模拟中，MOSFET用于开关频率为10kHz的电感负载。二极管横跨电感防止电压尖峰破坏MOSFET。10K下拉电阻确保MOSFET在默认情况下关闭，而不是意外打开。
模拟电路
应用程序
直流-直流转换器
电机驱动程序
功率放大器
电源转换装置
二维模型和尺寸
如果您正在使用该组件设计PCB或Perf板，那么下面的数据表图片将有助于了解其封装类型和尺寸。
部分数据表
