FGA25N120ANTD 1200V NPT TRENCH IGBT

引脚配置

引脚名称	描述
G	门，控制晶体管的开口
C	收藏家，电流通过收藏家流入
e	发射极，当前通过发射极排出

FGA25N120ANTD功能

• NPT沟渠技术，正温系数
• 低饱和电压：V_CE（SAT），typ = 2.0V @ i_C= 25A，TC = 25°C
• 低切换损失：EOFF，typ = 0.96mj @ i_C= 25A，TC = 25°C
• 极其增强的雪崩功能
• TO-3PN包

FGA25N120antd Alernative

FGA15N120FTD IGBT

FGA25N120ANTD的简要说明

FGA25N120ANTD有收集器发射器电压V_CES1200 V.它具有栅极发射器电压V_Ges范围±20 V.收集器电流i_C在25°C的温度下为50a，在100°C的温度为25a。脉冲收集器电流i_厘米是90a。二极管最大正向电流i_调频IS 150 A.最大功率耗散P_d在25°C下的等级为312 W，在100°C下的最大功率耗散等级为125W。

在哪里使用FGA25N120ANTD

FGA25N120ANTD 1200V NPT（非耐力直通）IGBT提供了出色的传导和切换性能，高雪崩坚固性和易于平行操作。通过更简单的设备开发过程和较低的开关损耗，FGA25N120ANTD非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热，微波炉。

如何使用FGA25N120ANTD

绝缘栅极双极晶体管（IGBT）可以通过激活门“开”和“ OFF”切换。下面的电路通过输入IGBT的门端子来显示LED和电动机的切换。

如果我们通过在门上施加电压来使门更加积极，则IGBT的发射极将保持IGBT的“ ON”状态，如果我们使GATE负数或零推动，则IGBT将保持“ OFF”状态。它与BJT和MOSFET切换一样。

申请

• 感应加热

• 微波炉

2D模型